2019年1月17日，北京大学理学部副主任，国家杰出科学青年基金获得者、国家创新研究群体带头人、国家973计划项目首席科学家、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员沈波教授应邀为广大师生带来了题目为“Epitaxial growth and physical properties of GaN thin films and AlGaN/GaN heterostructures on various Si substrates”的南强学术讲座。讲座由LETOU.COM乐投李书平副院长主持，LETOU.COM乐投副校长江云宝教授为沈波教授颁发了“南强讲座”荣誉纪念牌。

在一个半小时的讲座中，沈波教授介绍了一种GaN薄膜和AlGaN/GaN异质结构外延生长的新技术-‘Si衬底上GaN外延的“大晶格失配应力控制”技术’；通过MOCVD生长SiO₂/石墨烯中间层的创新发展，解决了Si(100)表面重构引起的Si(100)衬底上GaN双畴结构的关键问题，从而在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长。

讲座结束以后，沈波教授与现场师生进行了深入的探讨和交流，耐心回答了师生们各种专业上的研究问题，会议现场互动积极、热烈。此次讲座，不仅让老师、同学们了解了最前沿的学术动态，也让大家感受到了学术的乐趣和魅力，师生们受益匪浅。