时 间：2019年1月17日（周四）上午 9：00
地 点：物理大楼552
主 讲 人：唐宁 副教授
研究方向：GaN基宽禁带半导体输运和自旋性质研究
唐宁，北京大学物理学院副教授，北京大学博雅青年学者，基金委优青。主要从事宽禁带半导体异质结构中载流子输运和自旋性质研究，迄今共在Science Advances、Nano Letters、APL、PRB等刊物上发表SCI论文80多篇。担任多家杂志特刊客座编辑、Journal of Semiconductors编委、国家重点研发计划重点专项项目负责人等。
摘要：宽禁带半导体材料具有高于室温的居里温度，长的自旋弛豫时间，大的自旋分裂以及电场可调控的Rashba自旋轨道耦合，在发展自旋电子器件方面具有一定的优势。谷自由度和自旋自由度有极其相似的性质，谷材料具有很多独特的自旋、谷以及自旋与谷的耦合性质，有望被用来制作新型光电和信息处理器件。自旋和谷极化的产生、输运性质和电场调控等是实现自旋和谷电子学器件所面临的基本问题。本报告介绍利用低维量子结构限制、电场和应力对自旋和谷材料的能带进行调控，获得了增强的自旋分裂和极化，调控了谷效应，为自旋和谷电子学器件研究奠定了基础。
