2016年10月23日上午，应物理科学与技术学院吴顺情教授邀请，魏苏淮教授到访LETOU.COM乐投，做了一场主题为“Band Structure Engineering and Defect Control of Oxides for Energy Applications”的南强学术讲座。讲座由朱梓忠教授主持，物理科学与技术学院院长吴晨旭教授为其颁发南强学术讲座纪念牌。现场座无虚席，近200名老师、学生参加了本次讲座。

       在讲座中，魏教授在讨论了金属氧化物在电子、光学方面的性质,以及计算模拟方法在材料改性方面的应用，并且全面细致地回答了与金属氧化物独特的材料性能相关的一些基本问题：(1)为什么大多数透明导电氧化物为n型？怎样通过对透明导电的能带调节来使其既能实现n-型掺杂又能实现p-型掺杂？(2)氧空位是否是金属氧化物有效的本征n-型掺杂剂？(3)为实现最佳的n型导电性，掺杂物应选择在阴离子位点还是阳离子位点上？(4)为什么非晶透明导电氧化物即使没有钝化也可以具有良好的导电性？(5) 如何通过PEC水分解的缺陷控制来设计氧化物的能带结构？魏教授通过具体实例的解说，让听众很好地理解其中的原理。报告结束后，魏教授耐心回答了现场师生的提问，讲座在热烈的气氛中圆满结束。

人物标签：魏苏淮教授，现任北京计算科学研究中心教授、材料与能源研究部主任，美国物理学会会士（APS Fellow），美国材料学会会士（MRS Fellow）。1981年本科毕业于复旦大学， 1985年在美国威廉玛丽学院取得理学博士学位，1985年至2015年在美国可再生能源国家实验室(NREL)历任博士后、科学家、资深科学家、首席科学家、理论研究室主任，实验室Fellow。一直从事半导体材料的计算和设计。发展了全电子FLAPW计算程序、无序合金和半导体缺陷的精确计算模型和方法；提出了半导体在平衡态下存在掺杂极限的机理和克服掺杂极限的方法；对一系列光电材料包括太阳能材料的性质做了系统的理论解释。已发表SCI论文450余篇，包括68篇PRL。论文引用36000多次，H因子=94。