时 间：2019年5月10日（周五）下午 15：00
地 点：海韵教学楼504
主 讲 人：何军 研究员
研究方向：低维半导体材料及其电子光电子器件应用研究
何军，国家纳米科学中心研究员，博士生导师，2016年国家杰出青年科学基金获得者。 长期从事低维半导体材料及其电子、光电子器件应用研究。已发表SCI研究论文200余篇，其中包括Nature Electronics、 Science Advances、 Chemical Society Review、Nano Letters、Advance Materials、ACS Nano等影响因子大于10的50篇，论文引用超过5000次，担任多家国际顶级学术刊物的编委。
摘要：对于二维层状材料的研究，尤其是过渡金属双硫族化物的研究已经取得了很大的进展。然而，这方面的研究还仍处于初始阶段，很多重要问题还亟待解决，更系统深入的研究还有待进行。另外值得注意的是，由于大多数半导体都具有非层状的晶体结构，因此实现非层状半导体的二维生长将具有重要的意义。基于以上的问题和挑战，我们的研究主要集中于二维金属硫族化物及其异质结的设计、合成以及应用方面。在本报告中，我将集中讨论以下两个方面： 二维层状金属硫族化合物及其异质结的可控制备、物理性质以及电子和光电子器件应用；
二维非层状材料的范德华外延、电子和光电子性质研究，包括CdTe、PbS以及Pb1-xSnxSe等纳米片。
