时 间：2018年12月28日（周五）下午14：30
地 点：物理大楼552
主 讲 人：常凯 研究员
研究方向：半导体基础物理研究
常凯，中国科学院半导体研究所、超晶格和微结构国家重点实验室研究员，杰出青年基金获得者，长期从事半导体基础物理研究，2013年度获得中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理科学奖，美国J. Appl. Phys./Appl. Phys. Lett.等国际顶级期刊审稿人。
摘要：半导体量子结构不仅具有重要的应用价值，同时也是探索形形色色演生规范场及其相关量子效应的绝佳实验平台，它可以把维度效应（或称纳米结构）、关联效应和能带拓扑性质结合起来，研究由于这些效应相互影响导致的新量子相。在本次报告中，我们将结合我们的工作讨论在近年来在半导体量子结构中呈现出的形形色色的演生规范场及其诱导的量子效应，例如：自旋轨道耦合效应及其诱导的规范场和自旋霍尔效应；半导体极性界面中的拓扑相；二维材料中应变及光场诱导的规范场及其输运行为；半导体量子阱中库仑关联引致的激子绝缘相；二维体系中人工格点诱导的界面拓扑模式。
